電源適配器Topswitch－ FX芯片的設計要點

一． Topswitch－ FX的設計要點
（1） Topswitch－FX芯片
設計電源適配器時可根據所需較大輸出功率（Pom）、電源效率（H、散熱條件以及價格因素，選擇合適的 topswitch－fx芯片。考慮到這類芯片能從外部降低極限電流值，有時可選較大功率的 topswitch－fx芯片供降額使用，以滿足輸出功率較低、效率較高、散熱條件較差的特殊用途。
2）輸人濾波電容
輸入濾波電容C～應能在輸入交流低壓時提供 Topsswitch－FX進行電源變換所必須的　　較小直流電壓Vmin。由于 ropsswitch－fx的大占空比達78％，因此可適當減小C的容　　量。通常取比例系數C＝／Po＝2pF／W，即每瓦輸出功率對應于2pF的電容量.

3）漏極鉗位保護電路
每當功率 MOSFET由導通變成截止時，在電源適配器的初級上就會產生尖峰電壓和感應電壓。其中的尖峰電壓是由于高頻變壓器存在漏感（即漏磁產生的自感）而形成的，它與直流高壓V和感應電壓Vo疊加后很容易損壞 MOSFET。為此，必須增加漏級保護電路，對尖峰電壓進行鉗位或者吸收。漏級保護電路有3種設計方案：
①利用瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）和超快恢復二極管（SRD）組成TVS、SRD鉗位電路
②由齊納穩(wěn)壓管（VDZ）和超快恢復二極管構成鉗位電路；
③利用阻容元件和超快恢復二極管組成R、C、SRD鉗位電路。
上述方案中以①和②所需元器件數量較少，所占印制板面積也小。選擇方案①或②時，為了提高電源效率，要求TVs的鉗位電壓（或Vu的反向擊穿電壓V2）至少等于初級感應電壓Vo的1．5倍。設計時Vo一般不超過135V。方案③能充分發(fā)揮 Topsswitch－FX占空比調節(jié)范圍寬、lm容差小、可從外部降低極限電流等特點，此時需把Vo提高到165V
（4）輸出整流管
選擇輸出整流管時應當考慮較高反向峰值電壓（Vms），較大輸出電流（lo）和散熱條件等因素。當Vo≤20V時，可選耐壓為60V的肖特基二極管；當Vo≤30V時，可選耐壓為100V的肖特基二極管；當Vo＞30V時，宜選高壓、大電流的超快恢復二極管。
（5）設計讠印制板的注意事項
①輸入濾波電容的負極須單點連到反饋繞組回路中
②以源極為參考地，連接到多功能端的阻容元件應盡量靠近M極和S極，并單獨連到源極上。多功能端的引線應力求短捷，不要靠近漏極引線，以免引入開關噪聲干擾。
③控制端的旁路電容要盡量靠近C極與S極。光耦合器的輸出端也應靠近控制端

4.源極引線上不得有功率開關管（MOSFET）的電源通過
二．　Topswitch FX系列產品的分類
topswitch－fx系列產品可劃分成三種類型，共9種型號，產品型號中的尾綴P、G分別表示DIP8封裝（TOP232P～TOP234P）、SMD8封裝（TOP232G～TOP234G）；尾綴Y代表TO220－7B封裝（TOP232Y～TOP234Y）。表中的POM值均為環(huán)境溫度TA＝50℃時的較大連續(xù)輸出功率。在密封式電源適配器模塊中，包含開關電源。